DF100R07W1H5FPB53BPSA2 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - DF100R07W1H5FPB53BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2232.01 грн |
| 5+ | 2231.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF100R07W1H5FPB53BPSA2 INFINEON
Description: INFINEON - DF100R07W1H5FPB53BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції DF100R07W1H5FPB53BPSA2 за ціною від 2750.1 грн до 4233.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules Low Power |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules Low Power |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 650 V, 100 A booster IGBT module |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
SP001629710 |
товар відсутній |