DB102-G Comchip Technology
на замовлення 17100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
439+ | 27.81 грн |
4250+ | 25.41 грн |
8500+ | 23.65 грн |
12750+ | 21.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DB102-G Comchip Technology
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V.
Інші пропозиції DB102-G за ціною від 14.03 грн до 46.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DB102-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DB Packaging: Bulk Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DB Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 1 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
на замовлення 17674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DB102-G | Виробник : Comchip Technology | Bridge Rectifiers VR=100V, IO=1A |
на замовлення 724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DB102G | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Rectifier Bridge Diode Single 100V 1A 4-Pin Case DB |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DB102G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DB Packaging: Bulk Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DB Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 1 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DB102G | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A 100P/70 |
товар відсутній |