Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > CY62256EV18LL-70SNXI
CY62256EV18LL-70SNXI

CY62256EV18LL-70SNXI Infineon Technologies


CY62256EV18%20MoBL.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.25V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
121+178.91 грн
Мінімальне замовлення: 121
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CY62256EV18LL-70SNXI Infineon Technologies

Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Kbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.25V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 28-SOIC, Write Cycle Time - Word, Page: 70ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 70 ns, Memory Organization: 32K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції CY62256EV18LL-70SNXI

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CY62256EV18LL-70SNXI CY62256EV18LL-70SNXI Виробник : Cypress Semiconductor 001-69650_CY62256EV18_256-Kbit_32_K_8_Static_RAM_D-259001.pdf SRAM 256Kb 1.8V 70ns 32K x 8 LP SRAM
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CY62256EV18LL-70SNXI CY62256EV18LL-70SNXI Виробник : Infineon Technologies CY62256EV18%20MoBL.pdf Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.25V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній