на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 57.74 грн |
10+ | 45.58 грн |
100+ | 26.76 грн |
250+ | 25.82 грн |
500+ | 21.08 грн |
1000+ | 18.85 грн |
3000+ | 16.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CMS16(TE12L,Q,M) Toshiba
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A M-FLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-128, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V.
Інші пропозиції CMS16(TE12L,Q,M) за ціною від 18.79 грн до 73.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CMS16(TE12L,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A M-FLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V |
на замовлення 1098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CMS16(TE12L,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A M-FLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V |
товар відсутній |