Продукція > WOLFSPEED > CAB006M12GM3T
CAB006M12GM3T

CAB006M12GM3T Wolfspeed


CAB006M12GM3.pdf Виробник: Wolfspeed
Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 6mohm, 1200V, 48 mm, GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+25735.59 грн
10+ 23758.97 грн
18+ 19996.03 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CAB006M12GM3T Wolfspeed

Description: SIC 2N-CH 1200V 200A MODULE, Packaging: Box, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 200A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 708nC @ 15V, FET Feature: Silicon Carbide (SiC), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 69mA, Supplier Device Package: Module.

Інші пропозиції CAB006M12GM3T за ціною від 19996.03 грн до 25736.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CAB006M12GM3T CAB006M12GM3T Виробник : MACOM CAB006M12GM3.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 6mohm, 1200V, 48 mm, GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+25736.43 грн
10+ 23759.8 грн
18+ 19996.03 грн
CAB006M12GM3T Виробник : Wolfspeed 1683937818378.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 200A 36-Pin
товар відсутній
CAB006M12GM3T CAB006M12GM3T Виробник : Wolfspeed, Inc. CAB006M12GM3.pdf Description: SIC 2N-CH 1200V 200A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 708nC @ 15V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 69mA
Supplier Device Package: Module
товар відсутній