Продукція > NXP USA INC. > BUK9E1R9-40E,127
BUK9E1R9-40E,127

BUK9E1R9-40E,127 NXP USA Inc.


Виробник: NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 4974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
317+66.4 грн
Мінімальне замовлення: 317
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9E1R9-40E,127 NXP USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj), Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V.

Інші пропозиції BUK9E1R9-40E,127

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK9E1R9-40E,127 BUK9E1R9-40E,127 Виробник : NXP USA Inc. Description: MOSFET N-CH 40V I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товар відсутній
BUK9E1R9-40E,127 BUK9E1R9-40E,127 Виробник : Nexperia BUK9E1R9-40E-1599203.pdf MOSFET BUK9E1R9-40E/I2PAK/STANDARD MA
товар відсутній