BSS215PH6327 Infineon Technologies
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 805+ | 15.17 грн |
| 835+ | 14.62 грн |
| 1000+ | 14.15 грн |
| 2500+ | 13.24 грн |
| 5000+ | 11.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS215PH6327 Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 11µA, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V.
Інші пропозиції BSS215PH6327 за ціною від 5.75 грн до 28.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS215P H6327 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFETs P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3 |
на замовлення 26062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSS215P H6327 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| BSS215P H6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V |
товар відсутній |