
на замовлення 837000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Можливі заміни BSS138LT1G ON Semiconductor
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS138 (CJ, SOT-23) Код товару: 186257
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : CJ |
![]() Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 27/ Монтаж: SMD |
у наявності: 1687 шт
1258 шт - склад
100 шт - РАДІОМАГ-Київ 70 шт - РАДІОМАГ-Львів 99 шт - РАДІОМАГ-Харків 100 шт - РАДІОМАГ-Одеса 60 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
9000 шт
9000 шт - очікується 03.05.2025
|
|
||||||||||
![]() |
BSS138 Код товару: 197212
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : UMW |
![]() Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/ Монтаж: SMD |
у наявності: 10837 шт
8638 шт - склад
212 шт - РАДІОМАГ-Київ 680 шт - РАДІОМАГ-Львів 496 шт - РАДІОМАГ-Харків 448 шт - РАДІОМАГ-Одеса 363 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції BSS138LT1G за ціною від 2.16 грн до 21.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS138LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4515000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4515000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 201673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 17083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 201673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138LT1G (SOT-23, ON) Код товару: 28421
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ON |
![]() Uds,V: 50 V Idd,A: 0,200 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 40/ Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17083 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 767126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 41487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
BSS138LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 36722 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138LT1G | Виробник : ONS |
![]() |
на замовлення 568 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 218 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|