BSC889N03LSGATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC889N03LSGATMA1 - BSC889N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 24.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC889N03LSGATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC889N03LSGATMA1 - BSC889N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, tariffCode: 85412100, euEccn: TBC, hazardous: false, productTraceability: No, usEccn: TBC, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BSC889N03LSGATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC889N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8 |
товар відсутній |