на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 0.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856B-13-F Diodes Inc
Description: DIODES INC. - BC856B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC856 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції BC856B-13-F за ціною від 1.14 грн до 18.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC856B-13-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 330000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC856B-13-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 330000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC856B-13-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 310 mW |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC856B-13-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC856B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 6937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC856B-13-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 310 mW |
на замовлення 46711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC856B-13-F | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN Small SIG -80V -65V VCEO -5.0 VEBO |
на замовлення 14414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC856B-13-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC856B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 6937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC856B-13-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |