BC 846U E6327

BC 846U E6327 Infineon Technologies


Infineon-BC846S_BC846U_BC847S-DS-v01_01-en[1]-1226167.pdf Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR ARRAYS
на замовлення 8182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+29.77 грн
14+ 23.68 грн
100+ 14.06 грн
1000+ 8.15 грн
3000+ 6.89 грн
9000+ 5.9 грн
24000+ 5.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC 846U E6327 Infineon Technologies

Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SC74-6-1, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BC 846U E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC846UE6327 BC846UE6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS17743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SC74-6-1
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній