BAS116HYFHT116 Rohm Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1024+ | 11.92 грн |
| 1058+ | 11.53 грн |
| 2500+ | 11.19 грн |
| 5000+ | 10.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS116HYFHT116 Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 3 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 215mA, Supplier Device Package: SOT-23, Operating Temperature - Junction: 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BAS116HYFHT116 за ціною від 4.75 грн до 29.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BAS116HYFHT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Diode Switching 100V 0.215A Automotive 3-Pin SSD T/R |
на замовлення 5650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BAS116HYFHT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 215mA Supplier Device Package: SOT-23 Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BAS116HYFHT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Small Signal Switching Diodes Low-leakage, 80V, 215mA, SOT-23, Single, Automotive Switching Diode |
на замовлення 8960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BAS116HYFHT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 215mA Supplier Device Package: SOT-23 Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |