AUIRFR120Z

AUIRFR120Z International Rectifier


INFN-S-A0003615094-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: International Rectifier
Description: PFET, 8.7A I(D), 100V, 0.19OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 4974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
577+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 577
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRFR120Z International Rectifier

Description: PFET, 8.7A I(D), 100V, 0.19OHM,, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AUIRFR120Z за ціною від 36.34 грн до 44.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AUIRFR120Z AUIRFR120Z Виробник : Infineon Technologies auirfr120z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1f71f1460 Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
577+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 577
AUIRFR120Z AUIRFR120Z Виробник : Infineon Technologies Infineon-AUIRFR120Z-DS-v01_02-EN-1225811.pdf MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AUIRFR120Z Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS INFN-S-A0003615094-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFR120Z - AUIRFR120 75V-100V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
556+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 556
AUIRFR120Z AUIRFR120Z Виробник : Infineon Technologies 2069840497834769auirfr120z.pdffileid5546d462533600a4015355b1f71f1460.pdffileid554.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
AUIRFR120Z AUIRFR120Z Виробник : Infineon Technologies auirfr120z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1f71f1460 Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товар відсутній