AS7C34098A-10BINTR ALLIANCE MEMORY
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 3.3V; 10ns; BGA48; parallel
Mounting: SMD
Case: BGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Integrated circuit features: fast
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 3.3V; 10ns; BGA48; parallel
Mounting: SMD
Case: BGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Integrated circuit features: fast
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS7C34098A-10BINTR ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 3.3V; 10ns; BGA48; parallel, Mounting: SMD, Case: BGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: asynchronous; SRAM, Memory organisation: 256kx16bit, Access time: 10ns, Integrated circuit features: fast, Kind of interface: parallel, Memory: 4Mb SRAM, Operating voltage: 3.3V, кількість в упаковці: 1000 шт.
Інші пропозиції AS7C34098A-10BINTR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
AS7C34098A-10BINTR | Виробник : Alliance Memory, Inc. | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA |
товар відсутній |
||
AS7C34098A-10BINTR | Виробник : Alliance Memory | SRAM 4M, 3.3V, 10ns, FAST 256K x 16 Asyn SRAM |
товар відсутній |
||
AS7C34098A-10BINTR | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 3.3V; 10ns; BGA48; parallel Mounting: SMD Case: BGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 256kx16bit Access time: 10ns Integrated circuit features: fast Kind of interface: parallel Memory: 4Mb SRAM Operating voltage: 3.3V |
товар відсутній |