AS6C1608-55BIN

AS6C1608-55BIN Alliance Memory


AS6C1608v1_1-1288258.pdf Виробник: Alliance Memory
SRAM 16M 3V 55ns 2048Kx8 LP Asyn SRAM
на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AS6C1608-55BIN Alliance Memory

Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: asynchronous; SRAM, Memory: 16Mb SRAM, Memory organisation: 2Mx8bit, Access time: 55ns, Case: TFBGA48, Mounting: SMD, Integrated circuit features: LPC, Operating voltage: 2.7...3.6V, кількість в упаковці: 135 шт.

Інші пропозиції AS6C1608-55BIN

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AS6C1608-55BIN AS6C1608-55BIN Виробник : Alliance Memory, Inc. AS6C1608v1_1.pdf Description: IC SRAM ASYNC 2048K X 8 48TFBGA
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AS6C1608-55BIN Виробник : ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 135 шт
товар відсутній
AS6C1608-55BIN Виробник : ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній