Технічний опис APTM10DAM02G Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 100V; 370A; SP6C; Idm: 1900A; 1.25kW, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 370A, On-state resistance: 2.5mΩ, Power dissipation: 1.25kW, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Technology: POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: boost chopper, Pulsed drain current: 1900A, Case: SP6C, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTM10DAM02G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM10DAM02G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; diode/transistor; 100V; 370A; SP6C; Idm: 1900A; 1.25kW Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 370A On-state resistance: 2.5mΩ Power dissipation: 1.25kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper Pulsed drain current: 1900A Case: SP6C кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| APTM10DAM02G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 100V 495A SP6 |
товар відсутній |
||
| APTM10DAM02G | Виробник : Microchip / Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules DOR CC6110 |
товар відсутній |
||
| APTM10DAM02G | Виробник : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules DOR CC6110 |
товар відсутній |
||
| APTM10DAM02G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 100V; 370A; SP6C; Idm: 1900A; 1.25kW Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 370A On-state resistance: 2.5mΩ Power dissipation: 1.25kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper Pulsed drain current: 1900A Case: SP6C |
товар відсутній |