на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7743.5 грн |
| 25+ | 7183.69 грн |
| 100+ | 6055.35 грн |
| 250+ | 5805.02 грн |
| 500+ | 5522.32 грн |
| 1000+ | 5497.86 грн |
| 5000+ | 5491.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTGT50X60T3G Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3, Packaging: Bulk, Package / Case: SP3, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP3, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 176 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.15 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APTGT50X60T3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APTGT50X60T3G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans IGBT Module N-CH 600V 80A 176000mW 32-Pin Case SP-3 Tube |
товар відсутній |
|
| APTGT50X60T3G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 50A Case: SP3F Application: motors Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 13 шт |
товар відсутній |
||
| APTGT50X60T3G | Виробник : MICROSEMI |
SP3POWER MODULE - IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APTGT50X60T3G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP3 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 176 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.15 nF @ 25 V |
товар відсутній |
|
| APTGT50X60T3G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 50A Case: SP3F Application: motors Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |