Технічний опис APTGLQ100DA120T1G Microchip Technology
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor, Pulsed collector current: 340A, Semiconductor structure: diode/transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Power dissipation: 520W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Case: SP1, Type of module: IGBT, Technology: Field Stop, Gate-emitter voltage: ±20V, Topology: boost chopper; NTC thermistor, Collector current: 100A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTGLQ100DA120T1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGLQ100DA120T1G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor Pulsed collector current: 340A Semiconductor structure: diode/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Power dissipation: 520W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Case: SP1 Type of module: IGBT Technology: Field Stop Gate-emitter voltage: ±20V Topology: boost chopper; NTC thermistor Collector current: 100A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| APTGLQ100DA120T1G | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: IGBT MODULE 1200V 170A 520W SP1 |
товар відсутній |
||
 |
APTGLQ100DA120T1G | Виробник : Microsemi |
IGBT Modules |
товар відсутній |
|
| APTGLQ100DA120T1G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor Pulsed collector current: 340A Semiconductor structure: diode/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Power dissipation: 520W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Case: SP1 Type of module: IGBT Technology: Field Stop Gate-emitter voltage: ±20V Topology: boost chopper; NTC thermistor Collector current: 100A |
товар відсутній |