APT85GR120JD60 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 543 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.4 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 543 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.4 nF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2957.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT85GR120JD60 Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227, IGBT Type: NPT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 116 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 543 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.4 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT85GR120JD60 за ціною від 2697.61 грн до 3168.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT85GR120JD60 | Виробник : Microchip Technology | IGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 85 A SOT-227 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
APT85GR120JD60 | Виробник : MICROSEMI |
SOT-227/Ultra Fast NPT - IGBT APT85GR120 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
APT85GR120JD60 | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Module N-CH 1200V |
товар відсутній |
||||||||
APT85GR120JD60 | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Module N-CH 1200V |
товар відсутній |
||||||||
APT85GR120JD60 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 85A; SOT227B Application: for UPS; Inverter; motors Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Pulsed collector current: 340A Collector current: 85A Gate-emitter voltage: ±30V Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: SOT227B кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
APT85GR120JD60 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 85A; SOT227B Application: for UPS; Inverter; motors Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Pulsed collector current: 340A Collector current: 85A Gate-emitter voltage: ±30V Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: SOT227B |
товар відсутній |