APT85GR120B2 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 170A TMAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: T-MAX™
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/300ns
Switching Energy: 6mJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 660 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 340 A
Power - Max: 962 W
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1131.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT85GR120B2 Microchip Technology
Description: IGBT NPT 1200V 170A TMAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A, Supplier Device Package: T-MAX™, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 43ns/300ns, Switching Energy: 6mJ (on), 3.8mJ (off), Test Condition: 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 660 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 170 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 340 A, Power - Max: 962 W.
Інші пропозиції APT85GR120B2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT85GR120B2 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 170A 962000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| APT85GR120B2 | Виробник : MICROSEMI |
Ultra Fast NPT - IGBT APT85GR120 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
 |
APT85GR120B2 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 85A; 962W; TO247-3 Kind of package: tube Power dissipation: 962W Gate charge: 0.49µC Technology: NPT Ultra Fast IGBT Type of transistor: IGBT Turn-off time: 445ns Turn-on time: 113ns Pulsed collector current: 340A Collector current: 85A Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter voltage: 1.2kV Case: TO247-3 Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| APT85GR120B2 | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 85 A TO-247 MAX |
товар відсутній |
||
|
|
APT85GR120B2 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 85A; 962W; TO247-3 Kind of package: tube Power dissipation: 962W Gate charge: 0.49µC Technology: NPT Ultra Fast IGBT Type of transistor: IGBT Turn-off time: 445ns Turn-on time: 113ns Pulsed collector current: 340A Collector current: 85A Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter voltage: 1.2kV Case: TO247-3 Mounting: THT |
товар відсутній |