APT80GA90B Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT PT 900V 145A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/149ns
Switching Energy: 1652µJ (on), 1389µJ (off)
Test Condition: 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 239 A
Power - Max: 625 W
Description: IGBT PT 900V 145A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/149ns
Switching Energy: 1652µJ (on), 1389µJ (off)
Test Condition: 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 239 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 779.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT80GA90B Microchip Technology
Description: IGBT PT 900V 145A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/149ns, Switching Energy: 1652µJ (on), 1389µJ (off), Test Condition: 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 200 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 145 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 239 A, Power - Max: 625 W.
Інші пропозиції APT80GA90B за ціною від 723 грн до 850.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT80GA90B | Виробник : Microchip Technology | IGBT Transistors FG, IGBT, 900V, TO-247 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
APT80GA90B | Виробник : Microchip / Microsemi | IGBT Transistors FG, IGBT, 900V, TO-247 |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||
APT80GA90B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 625W Kind of package: tube Gate charge: 200nC Technology: POWER MOS 8®; PT Collector-emitter voltage: 900V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 80A Pulsed collector current: 239A Turn-on time: 49ns Turn-off time: 320ns Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
APT80GA90B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 625W Kind of package: tube Gate charge: 200nC Technology: POWER MOS 8®; PT Collector-emitter voltage: 900V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 80A Pulsed collector current: 239A Turn-on time: 49ns Turn-off time: 320ns Type of transistor: IGBT |
товар відсутній |