APT8065SVRG Microchip Technology
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1099.38 грн |
100+ | 935.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT8065SVRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 800V 13A D3PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D3Pak, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT8065SVRG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT8065SVRG | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube |
товар відсутній |
||
APT8065SVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A Technology: POWER MOS 5® Mounting: SMD Case: D3PAK Power dissipation: 280W Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A On-state resistance: 0.65Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 225nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 52A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APT8065SVRG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 800V 13A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D3Pak Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
APT8065SVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A Technology: POWER MOS 5® Mounting: SMD Case: D3PAK Power dissipation: 280W Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A On-state resistance: 0.65Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 225nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 52A |
товар відсутній |