APT8052BLLG Microchip Technology
на замовлення 40 шт:
термін постачання 322-331 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1164 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT8052BLLG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2035 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT8052BLLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT8052BLLG | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
APT8052BLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 15A; Idm: 60A; 298W; TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 298W Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.52Ω Drain current: 15A Drain-source voltage: 800V Gate charge: 75nC Case: TO247-3 Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
APT8052BLLG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT8052BLLG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 7.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2035 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
APT8052BLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 15A; Idm: 60A; 298W; TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 298W Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.52Ω Drain current: 15A Drain-source voltage: 800V Gate charge: 75nC Case: TO247-3 Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 60A |
товар відсутній |