APT8030JVFR Microchip Technology
на замовлення 79 шт:
термін постачання 364-373 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3204.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT8030JVFR Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 800V; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 450W, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 25A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 450W, Case: ISOTOP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.3Ω, Kind of channel: enhanced, Semiconductor structure: single transistor, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT8030JVFR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT8030JVFR | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 800V 25A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
||
APT8030JVFR | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 450W Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 450W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APT8030JVFR | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 800V 25A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 510 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
APT8030JVFR | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 450W Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 450W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |