APT75GN60LDQ3G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyIGBT Transistors IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 813.21 грн |
| 100+ | 693.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT75GN60LDQ3G Microchip Technology
Description: IGBT TRENCH FS 600V 155A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-264 [L], IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 47ns/385ns, Switching Energy: 2500µJ (on), 2140µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 485 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 155 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 536 W.
Інші пропозиції APT75GN60LDQ3G за ціною від 960.23 грн до 1367.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT75GN60LDQ3G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
APT75GN60LDQ3G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
APT75GN60LDQ3G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
APT75GN60LDQ3G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
APT75GN60LDQ3G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 93A; 536W; TO264 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 93A Power dissipation: 536W Case: TO264 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 485nC Kind of package: tube Turn-on time: 95ns Turn-off time: 485ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
APT75GN60LDQ3G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 155A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-264 [L] IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 47ns/385ns Switching Energy: 2500µJ (on), 2140µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 1Ohm, 15V Gate Charge: 485 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 155 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 536 W |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
APT75GN60LDQ3G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 93A; 536W; TO264 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 93A Power dissipation: 536W Case: TO264 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 485nC Kind of package: tube Turn-on time: 95ns Turn-off time: 485ns |
товар відсутній |