APT68GA60LD40 Microchip / Microsemi
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT68GA60LD40 Microchip / Microsemi
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; TO264, Technology: POWER MOS 8®; PT, Case: TO264, Mounting: THT, Kind of package: tube, Turn-on time: 46ns, Turn-off time: 304ns, Power dissipation: 520W, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 68A, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Gate charge: 198nC, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 202A, Type of transistor: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT68GA60LD40
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT68GA60LD40 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; TO264 Technology: POWER MOS 8®; PT Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 46ns Turn-off time: 304ns Power dissipation: 520W Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 68A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 198nC Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 202A Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APT68GA60LD40 | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 600V 121A 520000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
||
APT68GA60LD40 | Виробник : Microchip Technology | Description: IGBT 600V 121A 520W TO-264 |
товар відсутній |
||
APT68GA60LD40 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; TO264 Technology: POWER MOS 8®; PT Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 46ns Turn-off time: 304ns Power dissipation: 520W Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 68A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 198nC Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 202A Type of transistor: IGBT |
товар відсутній |