APT6038SLLG MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; Idm: 68A; 265W; D3PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 265W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 68A
Case: D3PAK
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; Idm: 68A; 265W; D3PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 265W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 68A
Case: D3PAK
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT6038SLLG MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; Idm: 68A; 265W; D3PAK, Mounting: SMD, Power dissipation: 265W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 43nC, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 68A, Case: D3PAK, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 17A, On-state resistance: 0.38Ω, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT6038SLLG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT6038SLLG | Виробник : Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 17A D3PAK |
товар відсутній |
||
APT6038SLLG | Виробник : Microsemi | MOSFET Power MOSFET - MOS7 |
товар відсутній |
||
APT6038SLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; Idm: 68A; 265W; D3PAK Mounting: SMD Power dissipation: 265W Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 68A Case: D3PAK Drain-source voltage: 600V Drain current: 17A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |