APT6025BVRG

APT6025BVRG Microchip Technology


APT6025BVR_C-1859326.pdf Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET MOS5 600 V 25 Ohm TO-247
на замовлення 131 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1199.25 грн
100+ 1021.63 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT6025BVRG Microchip Technology

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 25A; Idm: 100A, Mounting: THT, Case: TO247-3, Technology: POWER MOS 5®, Gate charge: 275nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 100A, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 25A, On-state resistance: 0.25Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 370W, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT6025BVRG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT6025BVRG APT6025BVRG Виробник : Microchip / Microsemi APT6025BVR_C-1859326.pdf MOSFET FG, MOSFET, 600V, TO-247, RoHS
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT6025BVRG APT6025BVRG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 6410-apt6025bvrg-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 25A; Idm: 100A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: POWER MOS 5®
Gate charge: 275nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT6025BVRG APT6025BVRG Виробник : Microchip Technology 6410-apt6025bvrg-datasheet Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
товар відсутній
APT6025BVRG APT6025BVRG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 6410-apt6025bvrg-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 25A; Idm: 100A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: POWER MOS 5®
Gate charge: 275nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
товар відсутній