APT5024BVFRG

APT5024BVFRG MICROCHIP (MICROSEMI)


Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 22A; Idm: 88A
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 221nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT5024BVFRG MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 22A; Idm: 88A, Case: TO247-3, Mounting: THT, On-state resistance: 0.24Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 280W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 221nC, Technology: POWER MOS 5®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 88A, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 22A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT5024BVFRG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT5024BVFRG APT5024BVFRG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 22A; Idm: 88A
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 221nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
товар відсутній