APT43GA90BD30 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 78A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/82ns
Switching Energy: 875µJ (on), 425µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 129 A
Power - Max: 337 W
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 568.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT43GA90BD30 Microchip Technology
Description: IGBT PT 900V 78A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/82ns, Switching Energy: 875µJ (on), 425µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 116 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 78 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 129 A, Power - Max: 337 W.
Інші пропозиції APT43GA90BD30 за ціною від 585.96 грн до 947.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT43GA90BD30 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 43A; 337W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector current: 43A Case: TO247-3 Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 129A Turn-on time: 28ns Turn-off time: 246ns Collector-emitter voltage: 900V Power dissipation: 337W Technology: POWER MOS 8®; PT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Gate charge: 116nC |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
APT43GA90BD30 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 43A; 337W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector current: 43A Case: TO247-3 Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 129A Turn-on time: 28ns Turn-off time: 246ns Collector-emitter voltage: 900V Power dissipation: 337W Technology: POWER MOS 8®; PT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Gate charge: 116nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
APT43GA90BD30 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 337000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
| APT43GA90BD30 | Виробник : MICROSEMI |
TO-247//high speed Punch-Through switch-mode IGBT APT43GA90 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
 |
APT43GA90BD30 | Виробник : Microchip Technology |
IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 43 A TO-247 |
товар відсутній |