APT35GP120BG MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector current: 46A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 140A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 222ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 543W
Technology: POWER MOS 7®; PT
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1180.56 грн |
| 3+ | 1036.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT35GP120BG MICROCHIP (MICROSEMI)
Description: IGBT 1200V 96A 543W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/94ns, Switching Energy: 750µJ (on), 680µJ (off), Test Condition: 600V, 35A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 150 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 96 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A, Power - Max: 543 W.
Інші пропозиції APT35GP120BG за ціною від 999.15 грн до 1416.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT35GP120BG | Виробник : Microchip Technology |
IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 35 A TO-247 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
APT35GP120BG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector current: 46A Case: TO247-3 Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 140A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 222ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 543W Technology: POWER MOS 7®; PT Kind of package: tube Gate charge: 150nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
APT35GP120BG | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 96A 543000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
APT35GP120BG | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 96A 543W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| APT35GP120BG | Виробник : MICROSEMI |
TO247-3/96 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT35GP120 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
APT35GP120BG | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT 1200V 96A 543W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 16ns/94ns Switching Energy: 750µJ (on), 680µJ (off) Test Condition: 600V, 35A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 96 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A Power - Max: 543 W |
товар відсутній |