APT35GP120B2DQ2G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT PT 1200V 96A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/95ns
Switching Energy: 750µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 543 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1398.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT35GP120B2DQ2G Microchip Technology
Description: IGBT PT 1200V 96A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/95ns, Switching Energy: 750µJ (on), 680µJ (off), Test Condition: 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 150 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 96 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A, Power - Max: 543 W.
Інші пропозиції APT35GP120B2DQ2G за ціною від 4251.79 грн до 5102.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT35GP120B2DQ2G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; T-Max Type of transistor: IGBT Collector current: 46A Case: T-Max Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 140A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 0.22µs Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 543W Technology: POWER MOS 7®; PT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Gate charge: 150nC |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
|
|
APT35GP120B2DQ2G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; T-Max Type of transistor: IGBT Collector current: 46A Case: T-Max Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 140A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 0.22µs Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 543W Technology: POWER MOS 7®; PT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Gate charge: 150nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||
 |
APT35GP120B2DQ2G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 96A 543000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товар відсутній |
|||||
 |
APT35GP120B2DQ2G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 96A 543W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товар відсутній |
|||||
| APT35GP120B2DQ2G | Виробник : MICROSEMI |
T-MAX/96 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT35GP120 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
 |
APT35GP120B2DQ2G | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS |
товар відсутній |