APT30M61SFLLG Microchip Technology
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1152.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT30M61SFLLG Microchip Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 54A; 403W; D3PAK, Mounting: SMD, Drain current: 54A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 300V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Case: D3PAK, On-state resistance: 61mΩ, Power dissipation: 403W, Gate charge: 64nC, Polarisation: unipolar, Technology: POWER MOS 7®, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT30M61SFLLG за ціною від 1016.67 грн до 1241.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT30M61SFLLG | Виробник : Microchip Technology |
 MOSFET FREDFET MOS7 300 V 61 mOhm TO-268 |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
APT30M61SFLLG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 300V 54A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
APT30M61SFLLG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 300V 54A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube |
товар відсутній |
|||||||
 |
APT30M61SFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 54A; 403W; D3PAK Mounting: SMD Drain current: 54A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 300V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Case: D3PAK On-state resistance: 61mΩ Power dissipation: 403W Gate charge: 64nC Polarisation: unipolar Technology: POWER MOS 7® кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
|
|
APT30M61SFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 54A; 403W; D3PAK Mounting: SMD Drain current: 54A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 300V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Case: D3PAK On-state resistance: 61mΩ Power dissipation: 403W Gate charge: 64nC Polarisation: unipolar Technology: POWER MOS 7® |
товар відсутній |