APT30GN60BDQ2G Microchip Technology
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
120+ | 156.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT30GN60BDQ2G Microchip Technology
Description: IGBT TRENCH FS 600V 63A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/155ns, Switching Energy: 525µJ (on), 700µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 165 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 63 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 203 W.
Інші пропозиції APT30GN60BDQ2G за ціною від 211.94 грн до 387.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT30GN60BDQ2G | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 203W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
APT30GN60BDQ2G | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 203W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
APT30GN60BDQ2G | Виробник : Microchip Technology | IGBT Transistors IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 30 A TO-247 |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
APT30GN60BDQ2G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 37A; 203W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 37A Power dissipation: 203W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Turn-on time: 16ns Turn-off time: 255ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
APT30GN60BDQ2G | Виробник : MICROSEMI |
TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR FIELDSTOP LOW FREQ COMBI APT30GN60 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
APT30GN60BDQ2G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 63A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/155ns Switching Energy: 525µJ (on), 700µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Current - Collector (Ic) (Max): 63 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 203 W |
товар відсутній |
||||||||
APT30GN60BDQ2G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 37A; 203W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 37A Power dissipation: 203W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Turn-on time: 16ns Turn-off time: 255ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |