APT24F50B Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 336.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT24F50B Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 335W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT24F50B за ціною від 318.48 грн до 375.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT24F50B | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs FREDFET MOS8 500 V 24 A TO-247 |
на замовлення 120 шт: термін постачання 364-373 дні (днів) |
|
||||||
 |
APT24F50B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||
 |
APT24F50B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; Idm: 82A; 335W; TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.24Ω Power dissipation: 335W Polarisation: unipolar Drain current: 15A Drain-source voltage: 500V Case: TO247-3 Gate charge: 90nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 82A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
| APT24F50B | Виробник : MICROSEMI |
TO247/24 A, 500 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT24F50 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
|
|
APT24F50B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; Idm: 82A; 335W; TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.24Ω Power dissipation: 335W Polarisation: unipolar Drain current: 15A Drain-source voltage: 500V Case: TO247-3 Gate charge: 90nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 82A |
товар відсутній |