Технічний опис APT23F60B Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 80A; 415W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 8®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 14A, Pulsed drain current: 80A, Power dissipation: 415W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.29Ω, Mounting: THT, Gate charge: 110nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT23F60B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT23F60B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 80A; 415W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 415W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| APT23F60B | Виробник : MICROSEMI |
TO247/POWER FREDFET - MOS8 APT23F60 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT23F60B | Виробник : Microsemi Power Products Group |
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247 |
товар відсутній |
|
 |
APT23F60B | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET FREDFET MOS8 600 V 23 A TO-247 |
товар відсутній |
|
|
|
APT23F60B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 80A; 415W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 415W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |