APT20M38SVRG Microchip Technology
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 963.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT20M38SVRG Microchip Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 67A; 370W; D3PAK, Mounting: SMD, Case: D3PAK, Technology: POWER MOS V®, Gate charge: 225nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 67A, On-state resistance: 38mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 370W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT20M38SVRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT20M38SVRG | Виробник : Microsemi |
 MOSFET Power MOSFET - MOS5 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
 |
APT20M38SVRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 200V 67A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube |
товар відсутній |
|
|
|
APT20M38SVRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 200V 67A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT20M38SVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 67A; 370W; D3PAK Mounting: SMD Case: D3PAK Technology: POWER MOS V® Gate charge: 225nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 200V Drain current: 67A On-state resistance: 38mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 370W Polarisation: unipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| APT20M38SVRG | Виробник : MICROSEMI |
D3PAK 3/67 A, 200 V, 0.038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APT20M38 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
|
|
APT20M38SVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 67A; 370W; D3PAK Mounting: SMD Case: D3PAK Technology: POWER MOS V® Gate charge: 225nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 200V Drain current: 67A On-state resistance: 38mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 370W Polarisation: unipolar Kind of package: tube |
товар відсутній |