Технічний опис APT20M20LLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A; 568W; TO264, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 100A, Pulsed drain current: 400A, Power dissipation: 568W, Case: TO264, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 20mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 110nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT20M20LLLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT20M20LLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A; 568W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 568W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| APT20M20LLLG | Виробник : Microsemi | MOSFET Power MOSFET - MOS7 |
товар відсутній |
||
|
|
APT20M20LLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A; 568W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 568W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |