APT20M11JLL

APT20M11JLL Microchip Technology


20m11jll.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 200V 176A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT20M11JLL Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 200V; 176A; ISOTOP; screw; Idm: 704A, Mechanical mounting: screw, Drain current: 176A, On-state resistance: 11mΩ, Power dissipation: 694W, Polarisation: unipolar, Case: ISOTOP, Electrical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 704A, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 200V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT20M11JLL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT20M11JLL APT20M11JLL Виробник : Microchip Technology 20m11jll.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 176A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT20M11JLL Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 176A; ISOTOP; screw; Idm: 704A
Mechanical mounting: screw
Drain current: 176A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 704A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT20M11JLL Виробник : Microsemi Discrete Semiconductor Modules Power MOSFET - MOS7
товар відсутній
APT20M11JLL Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 176A; ISOTOP; screw; Idm: 704A
Mechanical mounting: screw
Drain current: 176A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 704A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
товар відсутній