APT18M80B MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 12A; Idm: 70A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT18M80B MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 12A; Idm: 70A; 500W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 8®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 12A, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 500W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 530mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 0.12µC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT18M80B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT18M80B | Виробник : MICROSEMI |
TO247/N-Channel MOSFET APT18 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT18M80B | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 800V 19A TO247 |
товар відсутній |
|
|
|
APT18M80B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 12A; Idm: 70A; 500W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 12A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 500W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |