APT1201R6SVFRG Microchip / Microsemi
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT1201R6SVFRG Microchip / Microsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A, Mounting: SMD, Case: D3PAK, Technology: POWER MOS 5®, Gate charge: 230nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 32A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 8A, On-state resistance: 1.6Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 280W, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT1201R6SVFRG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT1201R6SVFRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A Mounting: SMD Case: D3PAK Technology: POWER MOS 5® Gate charge: 230nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 32A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A On-state resistance: 1.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 280W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APT1201R6SVFRG | Виробник : MICROSEMI |
D3PAK/POWER FREDFET - MOS5 APT1201R6 кількість в упаковці: 31 шт |
товар відсутній |
||
APT1201R6SVFRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A Mounting: SMD Case: D3PAK Technology: POWER MOS 5® Gate charge: 230nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 32A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A On-state resistance: 1.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 280W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |