30KPA216CA-B LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSE
Category: Bidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 253.4V; 86.9A; bidirectional; ±5%; P600; 30kW; bulk
Case: P600
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 216V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 86.9A
Breakdown voltage: 253.4V
Leakage current: 2µA
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: glass passivated
Peak pulse power dissipation: 30kW
Category: Bidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 253.4V; 86.9A; bidirectional; ±5%; P600; 30kW; bulk
Case: P600
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 216V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 86.9A
Breakdown voltage: 253.4V
Leakage current: 2µA
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: glass passivated
Peak pulse power dissipation: 30kW
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1546.11 грн |
2+ | 1357.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 30KPA216CA-B LITTELFUSE
Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 253.4V; 86.9A; bidirectional; ±5%; P600; 30kW; bulk, Case: P600, Mounting: THT, Kind of package: bulk, Tolerance: ±5%, Max. off-state voltage: 216V, Semiconductor structure: bidirectional, Max. forward impulse current: 86.9A, Breakdown voltage: 253.4V, Leakage current: 2µA, Type of diode: TVS, Features of semiconductor devices: glass passivated, Peak pulse power dissipation: 30kW, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції 30KPA216CA-B за ціною від 1691.96 грн до 1855.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
30KPA216CA-B | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 253.4V; 86.9A; bidirectional; ±5%; P600; 30kW; bulk Case: P600 Mounting: THT Kind of package: bulk Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 216V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 86.9A Breakdown voltage: 253.4V Leakage current: 2µA Type of diode: TVS Features of semiconductor devices: glass passivated Peak pulse power dissipation: 30kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
30KPA216CA-B | Виробник : Littelfuse Inc. | Description: TVS DIODE 216VWM 348.6VC P600 |
товар відсутній |
||||||||
30KPA216CA-B | Виробник : Littelfuse | ESD Suppressors / TVS Diodes TVS AXIAL LEAD HIGH POWER |
товар відсутній |