2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
Description: JFET N-CH 50V SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 13.57 грн |
6000+ | 12.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SK880-BL(TE85L,F) - JFET-Transistor, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SK880-BL(TE85L,F) за ціною від 10.03 грн до 40.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SK880-BL(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | Trans JFET N-CH 14mA Si 3-Pin USM T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SK880-BL(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V |
на замовлення 8451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SK880-BL(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK880-BL(TE85L,F) - JFET-Transistor, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SK880-BL(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK880-BL(TE85L,F) - JFET-Transistor, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SK880-BL(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | Trans JFET N-CH 14mA Si 3-Pin USM T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
2SK880-BL(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | JFETs N-CH FET 1.0dB AMP AUDIO -50 VGDS 10mA |
товар відсутній |