2SK3475(TE12L,F) TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW
Case: SOT89
Frequency: 520MHz
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3W
Drain current: 1A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.9dB
Output power: 630mW
Efficiency: 45%
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW
Case: SOT89
Frequency: 520MHz
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3W
Drain current: 1A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.9dB
Output power: 630mW
Efficiency: 45%
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 137.18 грн |
5+ | 114.64 грн |
8+ | 111.65 грн |
22+ | 105.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK3475(TE12L,F) TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW, Case: SOT89, Frequency: 520MHz, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 3W, Drain current: 1A, Type of transistor: N-MOSFET, Open-loop gain: 14.9dB, Output power: 630mW, Efficiency: 45%, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: SMT, Kind of transistor: RF, Kind of channel: depleted, Gate-source voltage: ±10V, Drain-source voltage: 20V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції 2SK3475(TE12L,F) за ціною від 123.19 грн до 164.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SK3475(TE12L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW Case: SOT89 Frequency: 520MHz Kind of package: reel; tape Power dissipation: 3W Drain current: 1A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 14.9dB Output power: 630mW Efficiency: 45% Polarisation: unipolar Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2SK3475(TE12L.F) | Виробник : Toshiba | Trans RF MOSFET N-CH 20V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
2SK3475(TE12L,F) | Виробник : Toshiba | Trans RF MOSFET N-CH 20V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
товар відсутній |