2SK3065T100 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 22.68 грн |
2000+ | 19.94 грн |
3000+ | 18.96 грн |
5000+ | 16.77 грн |
7000+ | 16.17 грн |
10000+ | 15.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK3065T100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SK3065T100 за ціною від 17.26 грн до 78.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SK3065T100 | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SK3065T100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 7303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SK3065T100 | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFETs N-CH 60V 2A |
на замовлення 73573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SK3065T100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 7303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SK3065T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V |
на замовлення 23620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SK3065T100 | Виробник : ROHM |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
2SK3065T100 | Виробник : ROHM | 05+ SOT89 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SK3065T100 | Виробник : ROHM | 10+ROHS SOT-89 |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SK3065 T100 | Виробник : ROHM | SOT89 |
на замовлення 604 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SK3065T100 | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2SK3065T100 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 0.5W; SC62 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A On-state resistance: 0.45Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 8A Case: SC62 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2SK3065T100 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 0.5W; SC62 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A On-state resistance: 0.45Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 8A Case: SC62 |
товар відсутній |