Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > 2SK1835-E
2SK1835-E

2SK1835-E Renesas Electronics Corporation

2sk1835-datasheet?r=1336076 Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 10222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+819.72 грн
10+ 548.37 грн
100+ 411.69 грн
500+ 355.61 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK1835-E Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - 2SK1835-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 4.6 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції 2SK1835-E за ціною від 391.81 грн до 1136.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SK1835-E 2SK1835-E Виробник : RENESAS RNCC-S-A0001435629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: RENESAS - 2SK1835-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 4.6 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+866.98 грн
5+ 738.99 грн
10+ 610.19 грн
2SK1835-E 2SK1835-E Виробник : Renesas Electronics REN_rej03g0978_2sk1835ds_DST_20080604-2930606.pdf MOSFETs MOSFET - Pb Free
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+894.97 грн
10+ 627.18 грн
30+ 409.03 грн
270+ 391.81 грн
2SK1835-E 2SK1835-E Виробник : Renesas 48112183304017120rej03g0978_2sk1835ds.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+1136.02 грн
16+ 795.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SK1835-E Виробник : Renesas 2sk1835-datasheet?r=1336076 2SK1835 HIT2SK1835
кількість в упаковці: 30 шт
товар відсутній