2SD1898T100Q Rohm Semiconductor
на замовлення 3139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 765+ | 15.97 грн |
| 870+ | 14.03 грн |
| 1000+ | 13.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1898T100Q Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SD1898T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SD1898T100Q за ціною від 9.71 грн до 54.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD1898T100Q | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - 2SD1898T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SD1898T100Q | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SD1898T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SD1898T100Q | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SD1898T100Q | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| 2SD1898T100Q | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 1A |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SD1898 T100Q | Виробник : ROHM | 09+ |
на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SD1898 T100Q | Виробник : ROHM | SOT89 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
2SD1898T100Q | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
товар відсутній |