2SCR553RTL Rohm Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 851+ | 14.34 грн |
| 930+ | 13.12 грн |
| 1091+ | 11.18 грн |
| 1143+ | 10.3 грн |
| 2000+ | 8.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR553RTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR553RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 360MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SCR553RTL за ціною від 8.7 грн до 34.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SCR553RTL | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - 2SCR553RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR553RTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR553RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR553RTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 2A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 1939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR553RTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR553RTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 2A Ic 50V Vceo TSMT3 |
на замовлення 3412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR553RTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2SCR553RTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 2A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |