2SCR512RHZGTL Rohm Semiconductor
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 770+ | 15.86 грн |
| 774+ | 15.76 грн |
| 953+ | 12.81 грн |
| 1017+ | 11.57 грн |
| 2000+ | 10.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR512RHZGTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR512RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SCR512RHZGTL за ціною від 15.32 грн до 70.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SCR512RHZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive 3-Pin TSMT |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR512RHZGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR512RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR512RHZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR512RHZGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR512RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR512RHZGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT SOT346T 30V 2A MID-PWR TRANS |
на замовлення 5686 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SCR512RHZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 2A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2SCR512RHZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 2A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |