2SCR512PHZGT100

2SCR512PHZGT100 Rohm Semiconductor


datasheet?p=2SCR512PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR512PHZGT100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR512PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 2A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SCR512PHZGT100 за ціною від 14.53 грн до 53.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SCR512PHZGT100 2SCR512PHZGT100 Виробник : ROHM datasheet?p=2SCR512PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR512PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 2A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+26.63 грн
500+ 17.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SCR512PHZGT100 2SCR512PHZGT100 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr512phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
388+31.48 грн
404+ 30.22 грн
500+ 29.13 грн
Мінімальне замовлення: 388
2SCR512PHZGT100 2SCR512PHZGT100 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR512PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.8 грн
10+ 35.74 грн
100+ 24.71 грн
500+ 19.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SCR512PHZGT100 2SCR512PHZGT100 Виробник : ROHM datasheet?p=2SCR512PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR512PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 2A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+50.92 грн
19+ 42.53 грн
100+ 26.63 грн
500+ 17.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SCR512PHZGT100 2SCR512PHZGT100 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR512PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 2A 30V Medium Power Transistor for Automotive
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+53.04 грн
10+ 42.69 грн
100+ 25.03 грн
500+ 20.14 грн
1000+ 17.55 грн
2000+ 16.04 грн
5000+ 14.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SCR512PHZGT100 2SCR512PHZGT100 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr512phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)